2016年12月，半導(dǎo)體分公司研制成功 1700V/1200A SiC JBS二極管混合IGBT模塊，成功的完成了SiC JBS二極管與Si IGBT的混封封裝。

SiC JBS二極管混合IGBT模塊相對(duì)于傳統(tǒng)IGBT模塊，具有模塊開(kāi)通時(shí)電流過(guò)沖及電壓過(guò)沖小的特點(diǎn)，使得模塊的實(shí)際使用電流、電壓提高，對(duì)于同規(guī)格的變流柜，可減少IGBT模塊的數(shù)量，使得整體成本降低，同時(shí)，使得IGBT混合模塊可是實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率。

目前，僅有英飛凌、ABB、三菱、富士電機(jī)等少數(shù)幾家國(guó)際知名企業(yè)掌握有該產(chǎn)品的封裝設(shè)計(jì)制造技術(shù)。該產(chǎn)品的研制成功填補(bǔ)了我國(guó)在IGBT混合模塊領(lǐng)域的空白。